厚度：900μm±50μm
晶向：<111>±0.2°
Zn值：4.5或10（±1%）
平均位错腐蚀坑密度（EPD）:≤5*10⁴cmˉ2
双晶衍射半峰宽（FWHM）最大值：≤20arecsec
红外透过率（4000-400CM-1）≥60%
表面粗糙度（Ra）:≤0.5nm
总厚度变化（TTV）≤3μm
夹杂尺寸：≤5μm
无小角晶界及孪晶（X射线形貌相检测）
应用领域：
它还被广泛用作红外探测器HgCdTe的外延衬底和室温核辐射探测器等，它具有优异的光电性能，可以在室温状态下直接将X射线和γ射线转光子变为电子，是迄今为止制造室温X射线及γ射线探测器最为理想的半导体材料。与硅和锗检波器相比，CdZnTe晶体是唯一能在室温状态下工作并且能处理两百万光子/（s·mm）的半导体。另外，CdZnTe晶体分光率胜过所有能买到的分光镜。CdZnTe探测器的诸多优点，使得它得到了越来越广泛的应用，核安全、环境监测、天体物理等领域均有应用。在科学研究方面，CdZnTe探测器在高能物理学方面有很大的应用前景，例如它可用于高能粒子的加速系统。化合物半导体探测器具有很大的竞争力，可以预料在粒子物理方面的应用会得到很大发展。此外，CdZnTe探测器在天文物理研究方面也具有广阔的应用前景。当前，CdZnTe探测器的研究是处于一个迅速发展阶段的很有意义的新课题。
发展方向：
当前，CdZnTe探测器两个重要发展方向是：多块大体积并行探测器和面元阵列探测器。前者由多块体积大于1cm的CdZnTe晶体阵列组成，这类探测器解决了单个探测器体积小，总探测效率低的缺点，大大缩短了测量时间，尤其适于便携式谱仪系统，可应用于环境、港口、铁路货物等的放射性监测。后者是由CdZnTe晶体面元阵列组成，主要应用于核医学、天体物理等领域的能谱成像。
